優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備通過(guò)技術(shù)鑒定

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 11 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)

今年4月,蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)優(yōu)晶科技)最新出口至某國際知名客戶(hù)的大尺寸電阻法長(cháng)晶設備已順利通過(guò)驗收,標志著(zhù)優(yōu)晶科技國際業(yè)務(wù)取得突破。據悉,此次出口的SiC電阻法長(cháng)晶設備,是優(yōu)晶科技根據市場(chǎng)需求研發(fā)的第四代產(chǎn)品,設備的穩定性、可靠性、工藝水準均有提升。

而在近日,優(yōu)晶科技SiC長(cháng)晶設備再次傳出新進(jìn)展。6月7日,據優(yōu)晶科技官微披露,其8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備獲行業(yè)專(zhuān)家認可,成功通過(guò)技術(shù)鑒定評審。

source:優(yōu)晶科技

鑒定委員會(huì )認為,優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(cháng)設備及工藝成果技術(shù)難度大,創(chuàng )新性強,突破了國內大尺寸晶體生長(cháng)技術(shù)瓶頸,擁有自主知識產(chǎn)權,經(jīng)濟效益顯著(zhù)。

官網(wǎng)資料顯示,優(yōu)晶科技成立于2010年12月,專(zhuān)注于大尺寸(6英寸及以上)導電型SiC晶體生長(cháng)設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備,經(jīng)持續工藝優(yōu)化,目前已推出至第四代機型——UKING ERH SiC RV4.0電阻法SiC長(cháng)晶設備,可用于6英寸、8英寸量產(chǎn)。

項目方面,優(yōu)晶科技于2020年12月在昆山建設落成國內首條UKING電阻法6英寸SiC生產(chǎn)線(xiàn),并計劃2021年年底前將6英寸電阻法SiC生產(chǎn)線(xiàn)擴容至100臺。屆時(shí)優(yōu)晶科技投資打造的國內首條UKING電阻法6英寸SiC生產(chǎn)線(xiàn)將在江蘇昆山平謙邁高科技園實(shí)現規模量產(chǎn)。達產(chǎn)預計年產(chǎn)6英寸SiC襯底10萬(wàn)片。

據介紹,UKING電阻法大尺寸SiC長(cháng)晶設備軸向溫梯可控、徑向溫梯可調、溫線(xiàn)平緩,晶體生長(cháng)界面近似平面,這能有效降低SiC單晶內部應力,增加晶體有效利用厚度。同時(shí),UKING電阻法碳化硅生產(chǎn)設備智能化程度高,可大幅提高工藝精度;并具有無(wú)需人工粘接籽晶的引晶工藝,生長(cháng)參數實(shí)時(shí)監測和存儲,遠程訪(fǎng)問(wèn)和控制,實(shí)現了長(cháng)晶過(guò)程的高度自動(dòng)化,保證工藝的重現性,減少對操作人員的依賴(lài),解決了工藝控制難的瓶頸,使生長(cháng)出的晶體良品率和質(zhì)量大幅提高。

融資方面,2023年6月,優(yōu)晶科技完成A輪融資,投資方為東合創(chuàng )投。

此次優(yōu)晶科技成功研發(fā)出UK-T8型8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備,有望推動(dòng)優(yōu)晶科技加速拓展國際、國內業(yè)務(wù)。(集邦化合物半導體Zac整理)

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