文章分類: 功率

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 | | 分類: 功率
4月9日,杭州鎵仁半導體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發生產方面再創新高。 source:鎵仁半導體 據介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優值大等優點,使基于氧化鎵的功率器...  [詳內文]

韓國電子通信研究院將啟動GaN晶圓代工服務

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:39 |
| 分類: 功率
據韓媒報道,近日,韓國電子通信研究院(ETRI)宣布將啟動150nm氮化鎵(GaN)半導體本土代工試點服務。 source:拍信網 4月4日,ETRI公布了根據科學與信息通信技術部”電信用化合物半導體研究代工廠”項目開發的150nm GaN微波集成電路(...  [詳內文]

韓國釜山將新建2座8英寸化合物半導體工廠

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
| 分類: 功率
4月6日,釜山市政府宣布投資400億韓元(折合人民幣約2.14億元),在東南放射科學產業園區增建采用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新一代材料的8英寸化合物功率半導體生產設施,該項目已獲國家及市級基金資助。 source:拍信網 為構建生產下一代功率半導體的生態系統,釜山市...  [詳內文]

韓國首款2300V SiC MOSFET問世

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
| 分類: 功率
據韓媒ETnews報道,3月26日,半導體設計公司Power Cube Semi宣布,已在韓國首次成功開發出2300V碳化硅(SiC)MOSFET,并將于明年初量產。 source:Power Cube Semi 據介紹,Power Cube Semi稱,2300V SiC M...  [詳內文]

聯合多家頭部企業,上海打造8英寸碳化硅產業鏈

作者 | 發布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
| 分類: 功率
3月29日,據媒體報道,“聚勢芯港、引臨未來”2024上海全球投資促進大會暨臨港新片區寬禁帶半導體產業鏈投資機遇分享會在世界會客廳舉行。據介紹,本次活動也是上海首次舉辦的寬禁帶半導體推介活動。 會上,上海市經信委副主任張宏韜、臨港新片區黨工委副書記吳曉華共同為“寬禁帶半導體產業基...  [詳內文]

50億美元,全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂

作者 | 發布日期: 2024 年 03 月 28 日 10:56 |
| 分類: 功率
3月26日,Wolfspeed旗下耗資50億美元(折合人民幣約361億元)的8吋碳化硅(SiC)制造中心宣告封頂,美國參議員湯姆·蒂利斯 (Thom Tillis) 與Wolfspeed高管一起參加了封頂儀式。 source:Wolfspeed 該工廠以該公司已故聯合創始人Jo...  [詳內文]

4Q23搭載SiC功率芯片逆變器市占率達15%

作者 | 發布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
| 分類: 功率
根據TrendForce集邦咨詢全球電動車逆變器市場數據顯示,2023年第四季全球電動車逆變器裝機量達714萬套,相較2023年第三季639萬套,季增約12%,主因是去年第四季電動車季單季銷量較第三季成長。其中,逆變器市場主要的推動力來自于純電動車(BEV)。 TrendFor...  [詳內文]

中國SiC外延片市場,繁榮與挑戰并存

作者 | 發布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
| 分類: 功率
隨著電動汽車和新能源需求的持續擴大,碳化硅功率半導體元件在各領域的滲透率呈現持續攀升之勢。對于碳化硅外延片環節,過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導,中國廠商瀚天天成與天域半導體歷經10余年積累,終隨新能源浪潮迎來業務高速增長期,近年來全球市場份額得以迅...  [詳內文]

發展汽車、工業領域,瑞能半導通過IPO輔導驗收

作者 | 發布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 | | 分類: 功率
根據中國證券監督管理委員會官網資料,瑞能半導體科技股份有限公司(以下簡稱:瑞能半導)已通過輔導驗收。 事實上,這并非瑞能半導首次申請上市。2020年8月,瑞能半導于上交所上市的申請獲得受理,但其最終于2021年6月申請撤回申請文件。 2023年7月,瑞能半導重整旗鼓,與西南證券...  [詳內文]

英飛凌、羅姆產品新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
| 分類: 功率
近日,英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產品端公布了新進展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日,英飛凌宣布,公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術產品,CoolSiC MOSFET G2系列產品。 source:英飛凌 英飛凌表示,新一代C...  [詳內文]