文章分類： 功率

住友金屬將建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 29 日 17:21 |
| 分類: 功率
9月27日，住友金屬礦山株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“住友金屬”）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸（200mm）SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅（SiC）襯底。 source：...  [詳內(nèi)文]

碳化硅襯底及材料相關(guān)項(xiàng)目落地浙江

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 27 日 17:20 |
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據(jù)望潮客戶端消息，9月25日，在第三屆全球數(shù)字貿(mào)易博覽會(huì)重大項(xiàng)目簽約儀式上，臺(tái)州市有4個(gè)項(xiàng)目簽約，分別為碳化硅原材料及碳化硅襯底項(xiàng)目、AI數(shù)據(jù)研發(fā)總部及算力中心項(xiàng)目、年產(chǎn)130萬(wàn)套智能硬件終端設(shè)備制造項(xiàng)目、年產(chǎn)260萬(wàn)噸化學(xué)品及新材料一體化項(xiàng)目。 其中，碳化硅原材料及碳化硅襯底項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

6000萬(wàn)，氮化鎵功率半導(dǎo)體公司完成Pre-A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:31 |
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近日，晶通半導(dǎo)體（深圳）有限公司（下文簡(jiǎn)稱“晶通半導(dǎo)體”）成功完成了6000萬(wàn)元的Pre-A輪融資，此輪投資人包括了知名投資機(jī)構(gòu)賽富投資基金、天使投資人，以及現(xiàn)有股東GRC富華資本的超額認(rèn)購(gòu)。公司未來(lái)將持續(xù)拓展產(chǎn)品矩陣，加速客戶方案導(dǎo)入，以滿足不同市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。 晶通半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

10億，江蘇新增一座6英寸功率晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:27 |
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9月20日，昕感科技宣布，公司位于江蘇江陰的晶圓廠順利完成首批投片。這一重要里程碑標(biāo)志著昕感科技晶圓廠正式邁入全面運(yùn)營(yíng)的新階段。 source：昕感科技 集邦化合物半導(dǎo)體了解到，昕感科技6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目總計(jì)投資超10億元，一期建設(shè)6英寸廠房，總建筑面積超4.5萬(wàn)平，核心...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅之爭(zhēng)，正燃

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 20 日 16:14 |
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放眼全球，碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立的局面，受下游應(yīng)用需求推動(dòng)，碳化硅邁入加速發(fā)展期。目前來(lái)看，英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美、天岳先進(jìn)、三安光電、羅姆等大廠持續(xù)布局碳化硅產(chǎn)能，穩(wěn)固其市場(chǎng)地位，同時(shí)，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)環(huán)節(jié)的其他玩家也加入了碳化硅競(jìng)爭(zhēng)。在此之下，8英寸碳化硅成為各方攻略...  [詳內(nèi)文]

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主體樓全面封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 11 日 15:40 | | 分類: 功率
9月10號(hào)晚，長(zhǎng)飛先進(jìn)宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。 source：長(zhǎng)飛先進(jìn) 據(jù)悉，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個(gè)集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵，新輔助？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 10 日 14:37 |
| 分類: 功率
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(zhǎng)帶來(lái)了有力輔助。 2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長(zhǎng)的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。 圖片來(lái)源：信越化學(xué) 從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)有新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 02 日 17:21 |
| 分類: 功率
據(jù)南京發(fā)布近日消息，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國(guó)在這一領(lǐng)域的首次突破。 source:江寧發(fā)布 公開資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代...  [詳內(nèi)文]

碳化硅爭(zhēng)奪戰(zhàn)：光伏龍頭們已入局

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 29 日 17:29 |
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目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)喜人，跨界布局碳化硅業(yè)務(wù)的玩家眾多，包括長(zhǎng)城汽車、吉利汽車等車企以及三安光電、博藍(lán)特等LED廠商，除車企和LED廠商外，部分光伏廠商已成為跨界布局碳化硅的重要力量。 光伏龍頭跨界布局碳化硅 據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，通威集團(tuán)、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測(cè)股份、捷...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 26 日 14:21 |
| 分類: 功率
新能源汽車大勢(shì)之下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時(shí)，第四代半導(dǎo)體也在蓄勢(shì)待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢(shì)，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報(bào)道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽(yáng)明交大電子所合作，雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代...  [詳內(nèi)文]