近年,印度積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。
近期,外媒報(bào)道,印度信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什維尼·瓦伊什納透露,首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相,同時(shí),印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。
據(jù)悉,印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]
印度積極布局第三代半導(dǎo)體 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |