Tag Archives: 氧化鎵

第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率
新能源汽車大勢(shì)之下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時(shí)，第四代半導(dǎo)體也在蓄勢(shì)待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢(shì)，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報(bào)道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽(yáng)明交大電子所合作，雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體完成近億元Pre-A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè)
8月7日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）迎來(lái)了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領(lǐng)投，普華資本共同投資。公司天使輪投資機(jī)構(gòu)藍(lán)馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見(jiàn)證此次融資簽約儀式。 source：鎵仁半導(dǎo)體 鎵仁半導(dǎo)體表示，本輪融資資金的...  [詳內(nèi)文]

日本團(tuán)隊(duì)不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)（8MV/cm）和良好的導(dǎo)通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)，且導(dǎo)通電阻更低，損耗更小。 目前，中國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)的研究機(jī)構(gòu)和團(tuán)隊(duì)在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)首個(gè)1200V 氧化鎵SBD問(wèn)世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率
7月22日，韓國(guó)化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開(kāi)發(fā)出可應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國(guó)際上已報(bào)導(dǎo)的最大尺寸。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（0...  [詳內(nèi)文]

聚焦氧化鎵，鎵仁半導(dǎo)體與邁姆思達(dá)成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱鎵仁半導(dǎo)體）近日與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開(kāi)深度合作。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實(shí)現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料方面實(shí)現(xiàn)新突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè)
據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“銘鎵半導(dǎo)體”）在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開(kāi)發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破，已領(lǐng)先于國(guó)際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 銘鎵半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國(guó)際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn)，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

超越碳化硅？三菱電機(jī)投資氧化鎵功率半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 01 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月26日，在三菱電機(jī)舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會(huì)議上，三菱電機(jī)宣布將對(duì)有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動(dòng)汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機(jī)稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場(chǎng)”。 三菱電機(jī)表示，2024年~2030年，...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)首個(gè)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化公司誕生
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分類 企業(yè)
3月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內(nèi)文]