文章分類(lèi): 功率

聯(lián)合多家頭部企業(yè),上海打造8英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
| 分類(lèi): 功率
3月29日,據媒體報道,“聚勢芯港、引臨未來(lái)”2024上海全球投資促進(jìn)大會(huì )暨臨港新片區寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈投資機遇分享會(huì )在世界會(huì )客廳舉行。據介紹,本次活動(dòng)也是上海首次舉辦的寬禁帶半導體推介活動(dòng)。 會(huì )上,上海市經(jīng)信委副主任張宏韜、臨港新片區黨工委副書(shū)記吳曉華共同為“寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)基...  [詳內文]

50億美元,全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠(chǎng)封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 28 日 10:56 |
| 分類(lèi): 功率
3月26日,Wolfspeed旗下耗資50億美元(折合人民幣約361億元)的8吋碳化硅(SiC)制造中心宣告封頂,美國參議員湯姆·蒂利斯 (Thom Tillis) 與Wolfspeed高管一起參加了封頂儀式。 source:Wolfspeed 該工廠(chǎng)以該公司已故聯(lián)合創(chuàng )始人Jo...  [詳內文]

4Q23搭載SiC功率芯片逆變器市占率達15%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
| 分類(lèi): 功率
根據TrendForce集邦咨詢(xún)全球電動(dòng)車(chē)逆變器市場(chǎng)數據顯示,2023年第四季全球電動(dòng)車(chē)逆變器裝機量達714萬(wàn)套,相較2023年第三季639萬(wàn)套,季增約12%,主因是去年第四季電動(dòng)車(chē)季單季銷(xiāo)量較第三季成長(cháng)。其中,逆變器市場(chǎng)主要的推動(dòng)力來(lái)自于純電動(dòng)車(chē)(BEV)。 TrendFor...  [詳內文]

中國SiC外延片市場(chǎng),繁榮與挑戰并存

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
| 分類(lèi): 功率
隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)和新能源需求的持續擴大,碳化硅功率半導體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現持續攀升之勢。對于碳化硅外延片環(huán)節,過(guò)去市場(chǎng)長(cháng)期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠(chǎng)主導,中國廠(chǎng)商瀚天天成與天域半導體歷經(jīng)10余年積累,終隨新能源浪潮迎來(lái)業(yè)務(wù)高速增長(cháng)期,近年來(lái)全球市場(chǎng)份額得以迅...  [詳內文]

發(fā)展汽車(chē)、工業(yè)領(lǐng)域,瑞能半導通過(guò)IPO輔導驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 |
| 分類(lèi): 功率
根據中國證券監督管理委員會(huì )官網(wǎng)資料,瑞能半導體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):瑞能半導)已通過(guò)輔導驗收。 事實(shí)上,這并非瑞能半導首次申請上市。2020年8月,瑞能半導于上交所上市的申請獲得受理,但其最終于2021年6月申請撤回申請文件。 2023年7月,瑞能半導重整旗鼓,與西南證券...  [詳內文]

英飛凌、羅姆產(chǎn)品新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
| 分類(lèi): 功率
近日,英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進(jìn)展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日,英飛凌宣布,公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)產(chǎn)品,CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。 source:英飛凌 英飛凌表示,新一代C...  [詳內文]

第三代半導體項目遍地開(kāi)花

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 04 日 16:37 |
| 分類(lèi): 功率
近日,多個(gè)第三代半導體項目迎來(lái)最新進(jìn)展。其中,重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億。 總投資32.7億元,重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用 據濱海寶安消息,2月27日,第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區啟用,其由深圳市重投天科半導體...  [詳內文]

SiC龍頭英飛凌重組自身業(yè)務(wù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 18:48 |
| 分類(lèi): 功率
2月28日,英飛凌表示,目前公司正在進(jìn)一步加強和精簡(jiǎn)其銷(xiāo)售組織。英飛凌宣布,從3月1日起,公司的銷(xiāo)售團隊將圍繞“汽車(chē)”、“工業(yè)與基礎設施”以及“消費者、計算與通信”這三個(gè)以客戶(hù)為中心的銷(xiāo)售領(lǐng)域進(jìn)行組建。 source:拍信網(wǎng) 其中,分銷(xiāo)商和電子制造服務(wù)管理(DEM)銷(xiāo)售組織將繼...  [詳內文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ導通電阻的GaN FET

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 16:42 |
| 分類(lèi): 功率
2月27日,EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET,為DC-DC轉換、快速充電、電機驅動(dòng)和太陽(yáng)能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱(chēng),這是市場(chǎng)上導通電阻最低的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,功率密度...  [詳內文]

晶圓級立方SiC單晶生長(cháng)取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 22 日 17:51 |
| 分類(lèi): 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能,在新能源汽車(chē)、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個(gè)數量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內文]