江蘇GaN外延制造中心動(dòng)工

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 19 日 17:59 | 分類(lèi) 功率

張家港經(jīng)開(kāi)區官微消息,4月18日上午,能華半導體張家港制造中心(二期)項目在張家港經(jīng)開(kāi)區再制造基地正式開(kāi)工建設。

公開(kāi)資料顯示,能華半導體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si),藍寶石基GaN(GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN(GaN-on-SiC) 晶圓與器件的研發(fā)、設計、制造與銷(xiāo)售。能華的6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋40V-1200V。

能華半導體張家港制造中心(二期)項目總投資6000萬(wàn)元,規劃建設生產(chǎn)廠(chǎng)房及配套設施,總建筑面積約10000平方米,采用先進(jìn)半導體外延、測試等工藝技術(shù),購置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設備,新建GaN外延片產(chǎn)線(xiàn)。項目投產(chǎn)后,將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。該項目將對經(jīng)開(kāi)區半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行橫向擴能和縱向延伸,進(jìn)一步增強在半導體領(lǐng)域的戰略布局。(集邦化合物半導體整理)

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