第三代半導體加速爆發(fā),SiC、GaN產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度如何?

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 01 月 10 日 10:58 | 分類(lèi) 碳化硅SiC

2009-2019年期間,全球共關(guān)閉了100座晶圓代工廠(chǎng)。恰逢最新一輪全球規模芯片缺貨潮,半導體產(chǎn)業(yè)遭遇了前所未有的危機。堅持IDM模式的廠(chǎng)商開(kāi)始改變觀(guān)念,2021年英特爾決定把部分芯片外包給臺積電,這個(gè)變化被業(yè)內視為委外代工已成趨勢,但在SiC和GaN領(lǐng)域,似乎有著(zhù)不一樣的市場(chǎng)表現……

新冠疫情爆發(fā)后,第三代半導體的發(fā)展進(jìn)入到關(guān)鍵期。根據業(yè)內的主流觀(guān)點(diǎn),在過(guò)去一兩年里SiC和GaN已經(jīng)開(kāi)啟商業(yè)化。今年年初,筆者對SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)的競爭格局、發(fā)展趨勢以及供應商情況做過(guò)解讀,本文則再談?wù)凷iC、GaN的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度。

作為產(chǎn)業(yè)化最快的第三代半導體材料,SiC和GaN近兩年來(lái)的表現突出——2021年,SiC功率器件在特斯拉Model 3旗艦車(chē)型商用,標志著(zhù)SiC材料在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域正式批量應用;2019年GaN在智能手機快充領(lǐng)域正式量產(chǎn),到2021年年中出貨量突破了5000萬(wàn)只。

由于SiC、GaN是新材料,各國企業(yè)均處于同一起跑線(xiàn),因此被視為“中國半導體企業(yè)彎道超車(chē)”的一大機遇。在此基礎上,國內外的半導體企業(yè)和投資者嗅到了商機。到2022年下半年,SiC和GaN的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度如何?

SiC、GaN無(wú)需先進(jìn)生產(chǎn)設備

被譽(yù)為“中國半導體教父”的張汝京曾公開(kāi)表示,“第三代半導體的發(fā)展遵循的是‘后摩爾定律’,它的線(xiàn)寬都不是很小,設備也不是特別的貴,但是它的材料不容易做,設計上要有優(yōu)勢?!?/p>

眾所周知,“摩爾定律(Moore’s Law)”的核心內容是:集成電路上可以容納的晶體管數目,在大約每經(jīng)過(guò)18個(gè)月到24個(gè)月便會(huì )增加一倍。也即是,大約每?jì)赡晏幚砥鞯男阅芊槐?、價(jià)格減少一半。在過(guò)去半個(gè)世紀里,半導體行業(yè)的發(fā)展一直在遵循“摩爾定律”,在芯片尺寸越來(lái)越小的同時(shí),工藝節點(diǎn)的演進(jìn)難度也呈指數增長(cháng)。

僅通過(guò)升級工藝來(lái)提升芯片性能的方法已無(wú)法滿(mǎn)足時(shí)代的需求,半導體行業(yè)逐步進(jìn)入“后摩爾定律”時(shí)代——不再追求更大效能的芯片,而是強調多元化和實(shí)用性原則。

當然,張汝京說(shuō)的“設備不是也特別的貴”,只是相對售價(jià)可高達數億美元的尖端半導體設備而言。采用成熟工藝產(chǎn)線(xiàn)即可生產(chǎn)第三代半導體功率器件,其產(chǎn)線(xiàn)投資與第一、二代半導體相比可以更低。半導體制造是重資產(chǎn)行業(yè),就算成熟工藝產(chǎn)線(xiàn)的投入低于先進(jìn)工藝產(chǎn)線(xiàn),也不意味著(zhù)建設一個(gè)晶圓廠(chǎng)能有多“便宜”。

泰科天潤應用測試中心主任高遠大致估算了成熟工藝SiC晶圓廠(chǎng)的建廠(chǎng)成本。晶圓廠(chǎng)的建設需要經(jīng)過(guò)選址、廠(chǎng)房建設和廠(chǎng)務(wù)配套、設備導入/調試、工藝開(kāi)發(fā)與驗證、產(chǎn)能爬坡等流程,每一個(gè)環(huán)節都需投入大量資金。

晶圓廠(chǎng)要配置多臺設備來(lái)支撐產(chǎn)能,關(guān)鍵設備的單價(jià)就超過(guò)1000萬(wàn)人民幣。更別說(shuō),一個(gè)晶圓廠(chǎng)需200人以上的團隊來(lái)運作,每年還有巨大的損耗成本和固定的折舊、運營(yíng)成本。經(jīng)粗略估算——滿(mǎn)足10K片/年產(chǎn)能規模的設備就算被閑置,每年也會(huì )產(chǎn)生約1000萬(wàn)人民幣的損耗成本。

晶圓廠(chǎng)還投資具有長(cháng)期性、穩定性,元器件在大規模量產(chǎn)前還要通過(guò)可靠性驗證,走完一輪產(chǎn)品驗證和可靠性驗證約耗時(shí)1000小時(shí),完成兩輪驗證總計需耗時(shí)幾個(gè)月??偟膩?lái)看,從廠(chǎng)房開(kāi)始動(dòng)工到全面滿(mǎn)產(chǎn)出貨,大致要耗費3到5年的周期。據業(yè)內統計,建設一條4英寸線(xiàn)需平均投入1億人民幣,6英寸線(xiàn)平均10億人民幣,8英寸線(xiàn)平均40億人民幣。12英寸線(xiàn)的投入是8英寸線(xiàn)的2倍左右或以上。

筆者查詢(xún)到幾家國外原廠(chǎng)投資12英寸的消息:2021年TI宣布將新建4座12英寸晶圓廠(chǎng),投資總額約達300億美元;臺積電今年在日本熊本縣開(kāi)建的12英寸晶圓廠(chǎng)投資86億美元(規劃產(chǎn)能5.5萬(wàn)片/月);世創(chuàng )電子(Siltronic)去年動(dòng)工的新加坡JTC淡濱尼12英寸廠(chǎng)投資總額約20億歐元;環(huán)球晶圓在美國德州謝爾曼市的12英寸硅晶圓廠(chǎng)(2025年投產(chǎn))計劃投資50億美元。

目前,先進(jìn)制程的芯片(22nm及以?xún)?和部分成熟制程芯片(90nm-28nm)采用12英寸晶圓來(lái)生產(chǎn),90nm以上的成熟制程主要基于8英寸(0.5μm-90nm)和6英寸晶圓。無(wú)論從理論還是經(jīng)濟的角度來(lái)看,在大尺寸晶圓上生產(chǎn)工藝更復雜、制程更小的芯片,比在小尺寸晶圓上造成的浪費更少。

例如,同一工藝的芯片在12英寸晶圓上生產(chǎn),會(huì )比在8英寸晶圓上生產(chǎn)多2.385倍芯片?,F在,高端智能手機、高端顯卡等追求先進(jìn)工藝的芯片使用12英寸晶圓。

值得慶幸的是,SiC/GaN芯片采用成熟制程,無(wú)需太先進(jìn)的生產(chǎn)設備。這也意味著(zhù),與第一、二代半導體相比,中國在第三代半導體領(lǐng)域有更大的發(fā)展空間,甚至可以說(shuō),在第三代半導體領(lǐng)域實(shí)現“彎道超車(chē)”可能性也更大。相信這也是我國重視SiC、GaN項目的主要原因。

伴隨企業(yè)融資并購、廠(chǎng)商增資擴產(chǎn)、新玩家不斷進(jìn)入,SiC、GaN行業(yè)欣欣向榮。據業(yè)內媒體不完全統計,截至2021年7月,國內SiC項目突破100個(gè),GaN項目超過(guò)40個(gè)。

在今年年初,筆者統計了部分SiC和GaN廠(chǎng)商的融資信息,發(fā)現自2020年開(kāi)始新增的融資數量明顯增多,其中同光晶體、天域半導體、世紀金光、南砂晶圓等SiC襯底廠(chǎng)均有獲得新融資,發(fā)力GaN的廠(chǎng)商比如GaN Systems、Transphorm、VisIC、氮矽科技、鎵未來(lái)、芯元基等也有新融資。

SiC、GaN的主流運作模式

半導體行業(yè)主要的運作模式包括IDM(垂直整合制造)、Fabless(無(wú)工廠(chǎng)芯片供應商)、Foundry(晶圓代工廠(chǎng))、Fab-lite(既有IDM又與Foundry有合作)。IDM從設計到制造、封測、銷(xiāo)售自有品牌IC一手包辦,代表廠(chǎng)商有英特爾、TI、英飛凌、onsemi、ST、三星、美光、SK海力士、華潤微電子、士蘭微、英諾賽科等。

Fabless只負責芯片設計和銷(xiāo)售,無(wú)芯片制造工廠(chǎng),代表廠(chǎng)商有高通、聯(lián)發(fā)科、博通、納微半導體等;Foundry只負責芯片制造,不做芯片設計,代表廠(chǎng)商有臺積電、聯(lián)電、中芯國際等;Fab-lite是輕晶圓模式,自己設計、銷(xiāo)售,既自己生產(chǎn)芯片,也外包部分芯片出去。

1987年純晶圓代工廠(chǎng)臺積電的成立,開(kāi)創(chuàng )了半導體史上的新篇章。至此之后,Fabless的數量逐年增加,同時(shí)也出現了更多Foundry廠(chǎng)商。2008年次貸危機之后,IDM廠(chǎng)開(kāi)始加速關(guān)閉晶圓廠(chǎng)。

據IC Insights統計,2009-2019年期間,全球共關(guān)閉了100座晶圓代工廠(chǎng),其中有24座8英寸晶圓廠(chǎng),42座6英寸晶圓廠(chǎng)。由于關(guān)閉的晶圓廠(chǎng)數量較大,也導致最新一輪全球規模的芯片缺貨潮,給半導體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了前所未有的危機。

堅持IDM模式的廠(chǎng)商開(kāi)始改變觀(guān)念,2021年英特爾決定把部分芯片外包給臺積電,這個(gè)變化被業(yè)內視為委外代工已成趨勢。而在SiC和GaN領(lǐng)域,似乎有著(zhù)不一樣的市場(chǎng)表現。

SiC器件的技術(shù)難點(diǎn)主要在于襯底缺陷的控制,SiC晶圓要求在SiC材料上長(cháng)晶,只是SiC材料耐高溫、硬度高,制備和加工難度高、損耗大,各環(huán)節間需要密切配合,所以供應商以IDM企業(yè)為主。

國外供應商有Wolfspeed、II-VI、ST、onsemi、ROHM、Littelfuse、英飛凌、東芝、三菱電機、富士電機等,國內供應商有泰科天潤、揚杰科技、士蘭微、華潤微、三安光電、基本半導體等。也正是因為SiC工藝控制難度高,導致其良率偏低、市場(chǎng)價(jià)格高,目前主要應用在汽車(chē)、工業(yè)領(lǐng)域。

GaN器件是HEMT(高電子遷移率晶體管),能提供比Si/SiC器件更高的電子速度,所以GaN晶體管適用于高頻功率開(kāi)關(guān)電路。GaN HEMT是平面導電結構,不依賴(lài)于襯底,可在藍寶石或者硅襯底上實(shí)現。GaN的難點(diǎn)體現在多個(gè)方面:

1.工藝方面,GaN材料面臨器件良率與一致性以及可靠性等問(wèn)題的挑戰;

2.封裝方面,因為GaN器件工作時(shí)電流大、功率高,溫度可達250℃,對封裝結構的散熱設計要求非常高;

3.應用方面,GaN顛覆了傳統的電源行業(yè),對PWM(脈沖寬度調制)控制芯片、變壓器廠(chǎng)商等提出更高的要求。

在GaN行,IDM和代工模式并存長(cháng)期共存。走IDM模式有英諾賽科、英飛凌、TI、安世半導體(聞泰科技旗下)、ST、onsemi、華潤微電子等,走代工模式有納微半導體、GaN Systems、Power Integrations(簡(jiǎn)稱(chēng)PI)、Transphrom、EPC、VisIC、GaN Power等。

從長(cháng)遠來(lái)看,IDM模式更有利于降低生產(chǎn)成本、發(fā)揮設計、制造與封測的協(xié)同效應。英諾賽科首席運營(yíng)官馮雷表示,2020年-2021年,全球半導體市場(chǎng)嚴重缺貨,晶圓代工廠(chǎng)滿(mǎn)產(chǎn)也無(wú)法滿(mǎn)足訂單需求,Fabless廠(chǎng)的產(chǎn)能受制于代工廠(chǎng)。

“這給了大家一個(gè)明確的信號——IDM模式在確保供應穩定性方面,比Fabless模式更具優(yōu)勢。又因功率半導體的工藝不依賴(lài)尺寸,它不追求7nm、5nm等先進(jìn)制程,相對于邏輯IC來(lái)說(shuō)工藝技術(shù)難度低,也無(wú)需動(dòng)輒百億美金的產(chǎn)線(xiàn)資金投入。功率半導體能夠支持高電壓、大電流,在確定的線(xiàn)寬設計規則下,去調整所有的底層寄生參數,讓它最接近理想的開(kāi)關(guān),又能保證在不同QC(質(zhì)量控制)值上可靠應用?!?/p>

馮雷表示,每家IDM廠(chǎng)商生產(chǎn)的功率器件具有不同的結構,而代工模式生產(chǎn)出來(lái)的功率器件的參數基本上千篇一律。對此,他強調說(shuō):“并不是說(shuō)這樣的方式(代工模式)不好,Fabless通過(guò)穩定的代工平臺,不用走那么多循環(huán)、不用調生產(chǎn)工藝,能極大縮短產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期。不過(guò),歸根到底,大家都回避不掉兩個(gè)問(wèn)題——一個(gè)是技術(shù)進(jìn)步,另一個(gè)是產(chǎn)能保障?!?/p>

英諾賽科走的是IDM模式。早在2017年,英諾賽科珠海研發(fā)生產(chǎn)基地就開(kāi)始量產(chǎn),到現在其GaN-on-Si(硅基氮化鎵)晶圓產(chǎn)能達4000片/月。2021年6月,英諾賽科蘇州工廠(chǎng)實(shí)現量產(chǎn),其規劃產(chǎn)能是6.5萬(wàn)片/月,是珠海工廠(chǎng)的10-20倍。據馮雷介紹,珠海和蘇州工廠(chǎng)在滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)下,能供應全球50%以上的GaN產(chǎn)能。

SiC目前仍以6英寸為主

當晶圓尺寸越大,其單片面積就越大、邊緣浪費更小,單位時(shí)間內產(chǎn)出的襯底、外延更多,芯片的產(chǎn)能也就越大、單顆芯片成本也越低。

咨詢(xún)機構PGC Consultancy預測稱(chēng):8英寸SiC的襯底價(jià)格、缺陷密度、芯片面積、芯片價(jià)格明顯呈下降的趨勢,隨著(zhù)每一代芯片單位面積的減小,8英寸(200mm)和6英寸(150mm)的成本差距也越來(lái)越小。

集邦咨詢(xún)化合物半導體分析師龔瑞驕表示,現階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主,SiC襯底從6英寸轉向8英寸短期內不會(huì )完成?!?英寸N-Type的價(jià)格非常穩定,主要應用在二極管等低端器件市場(chǎng),6英寸片也因技術(shù)不斷成熟價(jià)格逐漸穩定,8英寸片剛剛推向市場(chǎng),良率比較低、制造成本過(guò)高,短期內不具備性?xún)r(jià)比,其價(jià)格下行空間相當大。預計到2026年,8英寸片的市場(chǎng)份額將達15%。屆時(shí),4英寸片會(huì )慢慢淡出市場(chǎng),6英寸片將長(cháng)期作為市場(chǎng)主流?!?/p>

Wolfspeed財報說(shuō)明數據顯示:?jiǎn)螐木A加工成本來(lái)看,從6英寸升級到8英寸晶圓成本是增加的,但8英寸晶圓的芯片產(chǎn)量更高、成本更低,它能獲得的優(yōu)良裸片數量提升了20%-30%。這也是近年來(lái)SiC晶圓廠(chǎng)積極往8英寸升級的重要原因。

ROHM、英飛凌、Wolfspeed、Soitec、ST等在內的國際廠(chǎng)商在發(fā)力8英寸SiC晶圓。Wolfspeed的8英寸SiC晶圓在今年開(kāi)始量產(chǎn),Soitec在今年5月發(fā)布了首款8英寸SmartSiC?晶圓,ST在今年7月宣布瑞典北雪平工廠(chǎng)成功制造出了首批8英寸SiC晶圓片,ROHM、英飛凌的8英寸預計于2023量產(chǎn)。此外,今年3月初,國內的爍科晶體宣布已具備8英寸N型SiC拋光片小批量生產(chǎn)能力,今年8月12日,晶盛機電宣布首顆8英寸N型SiC晶體出爐。

對此,高遠表示,如今的SiC市場(chǎng)仍以6英寸為主,這種狀態(tài)將會(huì )持續好幾年?!皣鴥炔牧蠌S(chǎng)商可先積累8英寸SiC的技術(shù),做好相關(guān)技術(shù),開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足生產(chǎn)需求的材料,器件廠(chǎng)需提前做好準備,在材料成熟后再發(fā)力?!?/p>

據介紹,泰科天潤的北京4英寸SiC線(xiàn)已于2012年量產(chǎn),長(cháng)沙6英寸SiC線(xiàn)已于2021年Q3量產(chǎn)。其長(cháng)沙6英寸SiC晶圓廠(chǎng)在今年1-4月的訂單總金額突破1億元人民幣,一期產(chǎn)能達到6萬(wàn)片/年,二期將于2023年完成擴產(chǎn)至10萬(wàn)片/年。

SiC已在車(chē)身的OBC(車(chē)載充電器)、DC-DC(直流-直流)轉換器取得應用,相信在需求越來(lái)越迫切以后,800V的高壓系統中的SiC功率元器件會(huì )被進(jìn)一步放大,高壓直流充電樁SiC也將得到采納。軌道交通方面,日本的三菱、日立走到了行業(yè)前沿,中國大陸主要有中車(chē)時(shí)代電氣,其SiC MOSFET量產(chǎn)產(chǎn)品正在擴展車(chē)用客戶(hù)。

受益于車(chē)用市場(chǎng)的繁榮,SiC市場(chǎng)開(kāi)始大規模放量,只是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈還未完全成熟。當前,上汽、北汽、廣汽、吉利等車(chē)企正在擲重金投資本土SiC,泰科天潤、華潤微電子等SiC供應商已經(jīng)取得不錯的成績(jì)。車(chē)用模塊方面,比亞迪、斯達半導有豐富的經(jīng)驗,相信切換到SiC賽道也會(huì )有不錯的表現。

GaN產(chǎn)業(yè)化速度比SiC稍慢

GaN產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)度要比SiC慢,其晶圓正處于4英寸向6英寸過(guò)渡的階段。GaN材料的熔點(diǎn)高且需要高壓環(huán)境,很難采用熔融的結晶技術(shù)來(lái)制作GaN襯底,所以目前主要是使用GaN以外的基板。

圖片表1:不同GaN外延片的特點(diǎn)

日本京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究院電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)副教授須田淳曾發(fā)文介紹了GaN的研究歷史。筆者根據他的觀(guān)點(diǎn)做了簡(jiǎn)化——GaN晶體的生長(cháng)利用氨氣相法,生長(cháng)溫度在1000℃以上,單晶藍寶石(AI2O3)在高溫氨氣下的特性穩定。

不過(guò),GaN與藍寶石的化學(xué)性質(zhì)、熱膨脹系數和晶格常數相差較大,藍寶石基板上生長(cháng)的GaN晶體粗糙且缺陷多。后來(lái),科研人員通過(guò)低溫堆積緩沖層技術(shù),在藍寶石基板與GaN外延層之間設置低溫堆積的緩沖層,成功獲得了平坦的GaN晶體。

直到21世紀前后,AIGaN/GaN HEMT開(kāi)始用于功率元器件。起初,研究人員分別在藍寶石基板上和SiC基板上制作了GaN功率元器件,由于SiC基板和藍寶石基板的成本高昂,為了更加經(jīng)濟,科研人員著(zhù)手研究?jì)r(jià)格低、口徑大的Si基板。低溫堆積緩沖層技術(shù)也可用于Si基板,該類(lèi)基板能實(shí)現與藍寶石基板上的GaN基本相同的晶體缺陷密度。

GaN與Si的熱膨脹系數差較大,在生長(cháng)GaN后進(jìn)行冷卻時(shí)會(huì )產(chǎn)生很大的應力,熱膨脹系數差會(huì )導致裂紋的產(chǎn)生。之后,研究人員又開(kāi)發(fā)出了形變控制技術(shù),通過(guò)提前使GaN層發(fā)生反向形變,來(lái)抵消高溫生長(cháng)晶體后再降溫時(shí)所產(chǎn)生的形變。

GaN晶圓尺寸的進(jìn)一步升級,面臨著(zhù)諸多困難。如今,基于6英寸Si基板的GaN功率元件實(shí)現了產(chǎn)品化,想要進(jìn)一步降低價(jià)格就必須擴大口徑,在8英寸Si基板產(chǎn)業(yè)化路上還面臨更多的挑戰,許多機構和企業(yè)正在積極展開(kāi)研究。而GaN同質(zhì)外延片(GaN單晶襯底)適合用于藍/綠激光器、功率領(lǐng)域,但因工藝、成本問(wèn)題,還未大規模商用。

2020年,納微半導體的GaN功率器件滲透到智能手機快速充電器上,在消費類(lèi)快充領(lǐng)域的批量商用讓GaN功率市場(chǎng)成長(cháng)了幾倍,也在2020年年底全球GaN器件出貨量超過(guò)1000萬(wàn)。

大家對GaN在汽車(chē)電子領(lǐng)域的應用也充滿(mǎn)期待,盡管TI、GaN Systems、安世半導體等廠(chǎng)商陸續推出了車(chē)規級GaN器件,并與整車(chē)企業(yè)展開(kāi)了深入合作,預估近幾年內GaN也只會(huì )小批量滲透到車(chē)載OBC和DC-DC中。到了2022年,GaN器件供應商加大力度推廣數據中心應用方案。據悉,現在的GaN功率器件主要用于數據中心的PSU(電源供應單元)。

隨著(zhù)CPU、GPU、內存等器件的升級迭代,數據中心的功耗也顯著(zhù)增加。中國電子技術(shù)標準化研究院2019年披露的《綠色數據中心白皮書(shū)》顯示:預計到2023年,中國數據中心耗電量將突破2500億千瓦時(shí)。參考官方統計數據,2020、2021年三峽水電站年發(fā)電量均為1000億千瓦時(shí)出頭,這意味著(zhù)2023年中國數據中心的年耗電量約為2.5個(gè)三峽水電站的發(fā)電量。

GaN Systems曾公開(kāi)表示,50%負載下新電源模塊的能源效率大約為98%,僅此一項就可節省數據中心10%總能耗,再配合推進(jìn)數據中心UPS電源及制冷系統的電源替代,最終節能效果有望達20%。同時(shí),數據中心對算力的需求也有極大提升,高速運算對動(dòng)態(tài)響應的要求更高,這就給供電系統帶來(lái)極大挑戰。

現在,國家要求新建大型、超大型數據中心的PUE(電能使用效率值)達到1.4以下。PUE是評價(jià)數據中心能源效率的指標,PUE=數據中心總能耗/IT設備能耗,其值大于1,越接近1,表明非IT設備耗能越少,即能效水平越好。

數據中心總能耗由IT設備、制冷設備、供配電系統和照明等其他設備所產(chǎn)生的能耗組成。國內外有許多企業(yè)和機構針對數據中心能耗構成做了諸多研究和調查,雖然具體比例不同,但是能耗構成和排序基本類(lèi)似。筆者引用一組典型的數據:制冷設備能耗約占45%,IT設備能耗占30%,供配電系統能耗占24%,照明及其他設備能耗約占1%。

除了服務(wù)器電源之外,GaN功率器件還適用于電動(dòng)汽車(chē)逆變器。受益于800V汽車(chē)市場(chǎng)的推動(dòng),SiC“上車(chē)”的時(shí)機已非常成熟,而GaN在“上車(chē)”方面還處于早期階段,盡管Tier1和OEM廠(chǎng)商頗有興趣,但GaN仍受供應鏈生態(tài)、產(chǎn)能、技術(shù)不成熟限制。

再看GaN-on-Si的供應情況,EPC集中在低壓市場(chǎng)并有望成為48V的領(lǐng)導者;納微半導體覆蓋中壓市場(chǎng);ROHM覆蓋低壓和中高壓市場(chǎng);Transphorm、華潤微電子、潤芯微則已經(jīng)推出900V的產(chǎn)品。不過(guò),大部分廠(chǎng)商的產(chǎn)品集中在600V-650V區間,比如TI的GaN FET器件系列(600V/650V)、ST的STDRIVE 600V柵極驅動(dòng)器和GaN HEMT(600V)等。(文:國際電子商情 作者李晉)

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。