近年,印度積極推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體正受到極大關(guān)注。
近期,外媒報道,印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露,首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相,同時,印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。
據(jù)悉,印度已向位于班加羅爾的科學研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]
文章分類: 碳化硅SiC
中國電科、三安光電、中瓷電子碳化硅產(chǎn)品順利供貨 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 02 月 19 日 10:33
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關(guān)鍵字:
SiC MOSFET, SiC功率
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近日,碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳,中國電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務(wù)上取得關(guān)鍵突破,為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動力。
中國電科:30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨
近日,據(jù)中國電科官微消息,其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨,共計30臺套。截至目前,中...  [詳內(nèi)文]
120億元化合物半導體基地項目正在加速崛起! |
作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:29 | | 分類: 光電 , 射頻 , 碳化硅SiC |
據(jù)長江日報消息,近日,先導化合物半導體研發(fā)生產(chǎn)基地項目四座生產(chǎn)廠房中,兩座已封頂,另兩座正加緊澆筑。
source:先導科技集團
消息稱,該項目位于高新六路以南、光谷五路以東,建筑面積26萬平方米,共19棟建筑,包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等,整個項目力爭2025年年底...  [詳內(nèi)文]
江蘇再添一碳化硅項目! |
作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:15 | | 分類: 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |
近日,連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬噸碳化硅高級研磨材料及年產(chǎn)10萬件碳化硅陶瓷制品項目”環(huán)評文件擬審批意見。
source:連云港市生態(tài)環(huán)境局
據(jù)介紹,本項目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導體、復合材料...  [詳內(nèi)文]
環(huán)球晶預計,6英寸SiC襯底價格將保持穩(wěn)定 |
作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:11 | | 分類: 碳化硅SiC |
環(huán)球晶董事長徐秀蘭近日表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025年對SiC的市場預期仍較為保守,但2026年的前景似乎更為樂觀。
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出,SiC在汽車、可再生...  [詳內(nèi)文]
三家功率半導體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資 |
作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 10:52 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |
功率半導體作為半導體產(chǎn)業(yè)中的重要細分領(lǐng)域,近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展,功率半導體需求與日俱增,也愈發(fā)受到資本市場關(guān)注。近期,市場傳出三家功率半導體相關(guān)公司獲得新一輪融資,涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。
01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資
2月17日,“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]
三安光電回復碳化硅項目進展 |
作者 florafeng | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 10:23 | | 分類: 碳化硅SiC |
近期,投資者在互動平臺詢問三安光電,湖南三安二期、斯科半導及重慶意法這三個項目的各自進展情況如何,是否投入生產(chǎn),是否大批量生產(chǎn),各自產(chǎn)量如何?8英寸項目現(xiàn)狀如何?
該公司回答表示:湖南三安已擁有碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月,后續(xù)擴產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達到36萬片/年,目前8英寸碳...  [詳內(nèi)文]
功率半導體相關(guān)廠商瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 |
作者 florafeng | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 10:20 | | 分類: 碳化硅SiC |
2月17日,“君聯(lián)資本”官微消息,南京瑞為新材料科技有限公司(以下簡稱“瑞為新材”)于近日完成新一輪股權(quán)融資,由君聯(lián)資本投資。
資料顯示,瑞為新材成立于2021年,聚焦高性能射頻、功率電子、激光器、服務(wù)器等應(yīng)用場景的散熱問題,提供全面的熱管理方案。同時,該公司致力于散熱材料領(lǐng)域前...  [詳內(nèi)文]
青禾晶元新工廠正式動工,混合鍵合與C2W技術(shù)獲得新突破 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 02 月 17 日 14:49
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關(guān)鍵字:
碳化硅設(shè)備, 鍵合技術(shù)
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在半導體行業(yè)蓬勃發(fā)展,5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)驅(qū)動芯片性能需求攀升的當下,先進鍵合技術(shù)成為產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵。
近日,青禾晶元在混合鍵合與C2W技術(shù)上取得突破。其青禾晶元新廠房鍵合設(shè)備二期擴產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項目已正式開工,項目建成投產(chǎn)后,預計年產(chǎn)先進半導體設(shè)備約100臺套,年產(chǎn)值近1...  [詳內(nèi)文]
英飛凌官宣,首批8英寸SiC產(chǎn)品問世 |
作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 17 日 14:45 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC |
2月14日,英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅(SiC)產(chǎn)品。據(jù)悉,這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造,為包括可再生能源、火車和電動汽車在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供一流的碳化硅功率技術(shù)。
這一舉措標志著英飛凌在碳化硅技術(shù)應(yīng)用上邁出了重要一步,有望進一步提升相關(guān)領(lǐng)域的能...  [詳內(nèi)文]