24萬片,普興電子6英寸SiC外延片項目啟動

作者 | 發布日期 2024 年 02 月 26 日 18:30 | 分類 企業

2月26日,河北普興電子科技股份有限公司(以下簡稱普興電子)官網信息顯示,公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產業化項目”進行了第一次環境影響評價信息公示(以下簡稱公告)。

圖片來源:拍信網正版圖庫

公告顯示,本項目總投資35070.16萬元,利用公司1#廠房進行改擴建,建筑面積約4000平米,購置碳化硅(SiC)外延設備及配套設備116臺(套)形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產線。項目建成后,將實現年產24萬片SiC外延片的生產能力。

普興電子官網資料顯示,公司成立于2000年11月,致力于高性能半導體材料的外延研發和生產,是中電科半導體材料有限公司(以下簡稱電科材料)控股子公司。普興電子的主要產品為各種規格型號的硅基外延片、氮化鎵(GaN)和SiC外延片,可廣泛應用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計算機、平板電腦、智能手機、家電等領域。

近年來,電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導體外延材料的研發生產,在2021年9月啟動了占地面積130畝的新外延材料產業基地建設項目,并于2022年4月完成主廠房封頂,9月搬入首批生產、檢驗設備,11月即實現了首片硅外延和SiC外延下線,標志著該產業基地正式進入試生產和驗證階段。

據悉,2022年4月,普興電子還公示一項“6英寸碳化硅外延片產業化項目”,本項目總投資18000萬元,租用同輝公司(隸屬于中電科十三所)現有廠房,采購SiC外延爐15臺及配套測試儀器等,建設完成1條6英寸SiC外延片批量生產線,實現年產6英寸SiC外延片6萬片的生產能力。

隨著6英寸低密度缺陷SiC外延片產業化項目落地實施,普興電子6英寸SiC外延片產能將得到較大提升,有助于公司進一步深化第三代半導體外延材料領域布局。(集邦化合物半導體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。